 | Магнетрон 787 БПКЖ.528.00.00-01Магнетрон 787 предназначен для напыления объектов металлами типа медь, алюминий, титан и др.. |
 | Магнетрон 479 БПКЖ.675.00.00-02Магнетрон 479 предназначен для напыления объектов металлами типа медь, алюминий, титан и др. |
 | Магнетрон Д100 БПКЖ.737.02.00.00.00-01Магнетроны Д100 служит для нанесения тонких пленок практически из любых металлов, сплавов и полупроводниковых материалов без нарушения стехиометрического состава. Принцип их действия основан на повышении плотности газового разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях. |
 | Магнетрон 787 H УКРД.768.02.00.00.00Магнетрон 787Н предназначен для напыления объектов металлами типа медь, алюминий, титан и др.. |
 | Магнетрон 479 РС БПКЖ.676.00.00-02Магнетрон 479 РС предназначен для напыления объектов резистивным материалом. |
 | Магнетрон 479 Н БПКЖ.681.00.00-04Магнетрон 479 Н предназначен для напыления объектов магнитным материалом (никель, хром). |
 | Магнетрон 787 РС БПКЖ.704.00.00-01Магнетрон 787 РС предназначен для напыления объектов резистивным материалом. |
 | Магнетрон Д100 УКРД.755.00.00.00.00Магнетроны Д100 служит для нанесения тонких пленок практически из любых металлов, сплавов и полупроводниковых материалов без нарушения стехиометрического состава. Принцип их действия основан на повышении плотности газового разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях. |
 | Магнетрон 787 БПКЖ.528.00.00-01Магнетрон 787 предназначен для напыления объектов металлами типа медь, алюминий, титан и др.. |
 | Испаритель термический УКРД.771.01.00.00.00Термическое испарение состоит в нагреве материала в специальном испарителе до температуры, при которой начинается заметный процесс испарения и последующая конденсация паров материала в виде тонкой пленки на поверхности подложек, расположенных на некотором расстоянии от испарителя. |
 | Источник ионов 196 УКРД.769.02.00.00.00Предназначен для очистки изделий в вакуумных камерах перед напылением, а также для процессов ионного ассистирования в процессе напыления и для травления тонких слоев материалов как ионным распылением (Аргон), так и ионно-химическим травлением (Фреоны, Элегаз и т.д.), работает с газами произвольного состава и не имеет расходуемых в процессе эксплуатации деталей. |
 | Источник ионов 400 БПКЖ.648.00.00Предназначен для очистки изделий в вакуумных камерах перед напылением, а также для процессов ионного ассистирования в процессе напыления и для травления тонких слоев материалов как ионным распылением (Аргон), так и ионно-химическим травлением (Фреоны, Элегаз и т.д.), работает с газами произвольного состава и не имеет расходуемых в процессе эксплуатации деталей. |
 | Источник ионов 696 УКРД.769.04.00.00.00Предназначен для очистки изделий в вакуумных камерах перед напылением, а также для процессов ионного ассистирования в процессе напыления и для травления тонких слоев материалов как ионным распылением (Аргон), так и ионно-химическим травлением (Фреоны, Элегаз и т.д.), работает с газами произвольного состава и не имеет расходуемых в процессе эксплуатации деталей. |
 | Генератор плазмыTCP-антенна используется в оборудовании плазмохимического травления и очистки для образования плазмы высокой плотности. |
:: Продукция :: Устройства и узлы