23 Февраля 2012 г.
О компании Новости Продукция Услуги Технологии Публикации Контакты
Версия для печати
Главная страница :: Публикации :: Научные

Публикации


Скоростное магнетронное напыление меди на установке Caroline D 12A1.
Берлин Е.В.

  Подробнее


Оборудование для производства гибридных интегральных схем и полупроводниковых приборов.
Берлин Евгений Владимирович

Специалисты, работавшие в области создания вакуумно-технологического оборудования с 1993 года, накопив определённый багаж знаний, объединились под маркой «ЭСТО-Вакуум» в 2003 году, разработали и серийно выпускают оборудование для производства ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ и ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Многолетний опыт разработки и использования вакуумно-технологического оборудования позволил выработать рекомендации по комплектации специализированного вакуумного участка с оптимальным составом унифицированных установок.   Подробнее


САПР и Графика. Июль 2006.
Вместо ПДО — PDM, или Как справиться с возрастающими объемами производства без увеличения численности сотрудников.
Владимир Белецкий

Пример современного эффективного производства на примере ООО «ЭСТО-Вакуум». Наше предприятие расположено в городе Зеленограде и уже 12 лет специализируется на разработке нового автоматизированного вакуумного оборудования для напыления и травления различных материалов. Руководит им Е.В.Берлин, один из ведущих в России специалистов по вакуумному напылительному оборудованию, плазмохимии и ионному травлению.   Подробнее


Книга
«Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок»
Берлин Е.В., Двинин С.А., Сейдман Л.А.

Представляем вашему вниманию книгу из серии «Мир технологий», посвященную современному состоянию одной из отраслей производства изделий электронной техники: «Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок». Содержанием книги является современный опыт исследовательской, технологической и конструкторской работы передовых отечественных предприятий и многочисленных зарубежных исследователей. Одним из авторов книги является наш Генеральный директор «ЭСТО-Вакуум» Евгений Владимирович Берлин, который посвятил много лет своей работы исследованиям и разработкам в области производства вакуумного оборудования. Книга рассчитана на специалистов, занимающихся разработкой и изготовлением различных изделий электронной техники и оборудования для их производства. Она также будет полезна студентам старших курсов и аспирантам соответствующих специализаций. По вопросам приобретения можно обратиться по тел. (495) 530-60-00/11, (499) 729-79-10, 729-80-01, Отдел маркетинга   Подробнее


Журнал «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес», N 2/2006
Статья «Напылительные установки для нанесения многослойных покрытий».
Е.Берлин, Л.Сейдман

Многослойные покрытия, широко применяемые при производстве изделий электронной техники, целесообразно наносить на подложку за один технологический цикл. В результате не только повышается производительность процесса, но и снижается плотность дефектов в слоях, что позволяет значительно улучшить межслойную адгезию и исключить расслоение структуры при дальнейших операциях. Эти задачи могут быть успешно решены с помощью разработанных и серийно выпускаемых ООО "ЭСТО-Вакуум" новых полностью автоматизированные установок вакуумного напыления с возможностями комбинирования средств нанесения и травления покрытий.   Подробнее


Журнал «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес», N 8/2005
Статья «Реактивное ионно-плазменное травление и осаждение. Установка "Каролина 15"
Е.Берлин, С.Двинин, Н.Морозовский, Л.Сейдман.

Развитие технологии производства СБИС требует создания принципиально нового вакуумного технологического оборудования, использующего перспективные физические принципы обработки. Для формирования микроструктур с размерами элементов в субмикронной области наиболее перспективны ионно-плазменные процессы, использующие плазму, генерируемую в скрещенных электрическом и магнитном полях [1]. В последние годы повышенное внимание привлекают системы и методы, реализующие ионно-плазменную обработку при использовании резонансных явлений в ВЧ- и СВЧ-плазме [2, 3]. Поэтому большой интерес представляет новая установка реактивного ионно-плазменного травления и осаждения "Каролина 15", отвечающая современным требованиям полупроводникового производства.   Подробнее


Журнал «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес», N 7/2003
Статья «Установка для магнетронного нанесения многослойных покрытий»
Е.Берлин, Л.Сейдман

При металлизации гибридных ИС желательно наносить чередующиеся слои различных металлов на подложку за один технологический цикл. Это позволяет значительно улучшить межслойную адгезию и исключить расслоение структуры при дальнейших операциях осаждения пленок в вакууме, поскольку при сравнительно длительном перерыве между ними материал верхнего слоя конденсируется не на чистую поверхность нижней пленки, а на поверхность, покрытую слоем окисла. При производстве современных полупроводниковых приборов для проведения тонкой фотолитографии и получения сложных пространственных структур также необходимо наносить чередующиеся слои различных диэлектриков – как правило, оксида кремния и его нитрида. Получать такие слои желательно в одном вакуумном цикле, так как это не только увеличивает производительность процесса, но и снижает плотность дефектов в слоях. Эти задачи могут быть успешно решены с помощью модернизированной вакуумной установки "Каролина D-10". )   Подробнее


Журнал «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес», N 2/2003
Статья «Установка реактивного ионного травления "Эра-3М"
Е.Берлин, Н.Морозовский, Л.Сейдман

Одна из важнейших технологических операций при изготовлении современных полупроводниковых приборов с минимальными размерами элементов 0,1 мкм и менее – прецизионное вытравливание сформированного литографией рисунка. Для этого скорость травления в направлении, перпендикулярном поверхности, должна быть максимальной, а в боковом направлении – минимальной. Но анизотропное травление некоторых специальных материалов (нитрида кремния, двуокиси кремния, нитрида галлия, арсенида галлия и т.п.) с помощью традиционных химических процессов – задача практически неразрешимая. С ней может справиться ионное травление. Но из-за высокой энергии ионов (порядка 500–1500 эВ) глубина нарушенного слоя в полупроводнике достигает 20 нм, что резко ухудшает параметры полупроводникового прибора. Лучшие результаты обеспечивает реактивное ионное травление. Поэтому несомненный интерес представляет созданная в НПП "Тирс" установка реактивного ионного травления, отвечающая основным требованиям технологии производства полупроводниковых приборов, т.е. позволяющая травить необходимые материалы как с высокой скоростью, так и с максимальной анизотропией.   Подробнее


Журнал «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес», N5/2002
Статья «Получение чередующихся слоев диэлектриков на основе кремния. В едином процессе»
Е.Берлин, А.Воробьев, Л.Сейдман

Одна из важнейших задач при производстве современных полупроводниковых высокочастотных приборов, в частности арсенидгаллиевых полевых транзисторов, – формирование элементов субмикронных размеров. А для ее решения необходимо отработать процесс нанесения в одном вакуумном цикле чередующихся слоев различных диэлектриков, как правило соединений кремния – его нитрида и оксида. Это приводет не только к увеличению производительности, но и к снижению плотности дефектов в осаждаемых пленках. Но зачастую, в частности при нанесении покрытий на пластины арсенида галлия, допустимая температура процесса не должна превышать 300оС. Установка и режимы нанесения высококачественных диэлектрических пленок в одном процессе предложены специалистами НПП "Тирс" (г.Зеленоград).   Подробнее


Компания ЭСТО-Вакуум партнер РОСНАНО
1. Проектирование установок по ТЗ заказчика на базе выпускаемого оборудования.<br />
2. Проектирование оригинального оборудования по ТЗ заказчика.<br />
3. Совместный поиск технических решений под технологические задачи. Разработка технологического оборудования.<br />
4. Машиностроительное обеспечение проектов «Роснано»<br />
5. Организационное обеспечение продвижения проектов в «Роснано» с последующим машиностроительным и маркетинговым обеспечением.
Всё для производства гибридных интегральных схем - ГИС
Вакуумное оборудование для исследования и обработки арсенида галлия (GaAs).<br />
Наша компания выпускает ряд вакуумно-технологических установок для исследования и обработки арсенида галлия (GaAs).<br />
Для прецизионного травления арсенида галлия с высоким аспектным отношением установки плазмохимического травления в плазме высокой плотности (ТСР) – «Caroline PE 15»<br />
Для осаждения диэлектрических слоёв – аналогичная установка «Caroline PECVD 15».<br />
Для напыления большого спектра материалов различными методами – «Caroline  D 12 A1».
Вакуумные установки для напыления алюминиевой разводки силовых приборов.<br />
Наша фирма разработала и серийно выпускает вакуумные установки магнетронного напыления для напыления толстых (более 10 мкм.) слоев алюминия, сильноточные диоды, тиристоры и т.д.<br />
Для напыления титана, алюминия, никеля, серебра других металлов и сплавов с высокой производительностью и повторяемостью от процесса к процессу в одном вакуумном цикле 48 пластин &#216; 100 мм.  или 28 пластин &#216; 150 мм. (толщиной до 30мм.) мы выпускаем установку «Caroline D 12 B» .<br />
Для большей производительности установка «Caroline D 12 C», которая имеет в два раза большую загрузку 96 пластин диаметром 100 мм. <br />
Вакуумное оборудование для производства микроэлектронных механических систем.<br />
Наша фирма выпускает ряд вакуумных установок для производства микроэлектронных механических систем (МЭМС).<br />
Для прецизионного травления кремния с высоким аспектным отношением установки плазмохимического травления в плазме высокой плотности (ТСР) – «Caroline PE 15».<br />
Для осаждения диэлектриков – аналогичная установка «Caroline PECVD 15».<br />
Для напыления большой гаммы материалов различными методами – «Caroline  D 12 A1».<br />
Травление полупроводниковых лазеров.<br />
Травление эпитаксиальных структур полупроводниковых лазеров с применением ТСР генераторов плазмы высокой плотности наша компания занимается с момента основания.<br />
Для прецизионного травления структур арсенида галлия и нитрида галлия является установка «Caroline PE 15», её особенностью является низкий уровень радиационных нарушений при травлении полупроводниковых структур в следствии независимого управления плотностью плазмы (порядка 1012 электронов в см3 ) и энергией ионов (от 20 до 250 eV), присущих конструкции реактора данной установки.<br />
При травлении подобных структур энергия ионов не превышает 150 eV.
 
   Файлы
Распечатано 23.02.2012 с официального сайта компании "ЭСТО-Вакуум".
©2007 ООО «ЭСТО-Вакуум», 124460, г.Москва, Зеленоград, проезд 4806, д.4, стр.1
тел./факс: +7 (499) 710-6000, +7 (499) 710-6011, +7 (499) 729-7910, +7 (499) 729-8001, e-mail: info@esto-vacuum.ru
Перейти к нормальному виду